概述
這些N溝道增強型功率場效應晶體管都采用飛兆半導體專有的平面條形DMOS技術。
這種先進的技術已被特別定制,以最大限度地減少通態(tài)電阻,提供出色的開關性能,并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 這些器件非常適合高效率交換式電源供應器,有源功率因數(shù)校正,并基于半橋拓撲電子燈鎮(zhèn)流器。
特點
7.5A,600V,R DS(ON)= 1.2 W在V GS = 10V
低柵極電荷(典型28nC)
低C RSS(典型值為12 pF的)
快速切換
100%的雪崩測試
改進的dv / dt能力
符合RoHS標準
全新原裝進口,現(xiàn) 貨庫存,歡迎來電詢價
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