概述

這種P溝道1.8V指定的MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的低電壓的PowerTrench過(guò)程。 它已被優(yōu)化，電池電源管理。

特點(diǎn)

6.7A，- 12V
R DS（ON）= 28 m寬的V GS = 4.5V
R DS（ON）= 41 m寬的V GS = 2.5V
R DS（ON）= 90 m寬的V GS = 1.8V
開(kāi)關(guān)速度快
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)
高功率和電流處理能力

應(yīng)用/框圖（S）

DC / DC轉(zhuǎn)換器

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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