概述
這些雙P溝道邏輯電平增強型MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench進(jìn)程，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻。 本裝置已設(shè)計，尤其是更換為數(shù)字雙極晶體管和小信號MOSFET的低電壓應(yīng)用。

特點
- 0.5A，- 20V
R DS（ON）= 780 m寬的V GS = 4.5V
R DS（ON）= 1200 m寬的V GS = 2.5V
非常低的水平柵極驅(qū)動的要求，允許直接操作在3V 電路（VGS（TH）< 1.5V）
緊湊型的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)采用SC70 - 6表面貼裝封裝

應(yīng)用/框圖（S）
DC / DC轉(zhuǎn)換器
負(fù)載開關(guān)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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