概述
這些N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench進(jìn)程，已特別針對降低通態(tài)電阻，同時保持出色的開關(guān)性能。
這些器件非常適用于低壓和電池供電應(yīng)用的低線的功率損耗和快速開關(guān)所需。

特點(diǎn)
最大R DS（ON）=40mΩ，在V GS = 10V，I D = 4.8A
最大R DS（ON）=51mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 4.3A
開關(guān)速度快
低柵極電荷
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
高功率和電流處理能力。
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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