概述
這種P溝道2.5V指定的MOSFET使用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench ®過(guò)程中已特別定制，以盡量減少通態(tài)電阻和保持出色的開關(guān)性能低柵極電荷
這些設(shè)備非常適合用于電池供電應(yīng)用：負(fù)荷開關(guān)和電源管理，電池充電電路，和DC / DC轉(zhuǎn)換。

特點(diǎn)
最大R DS（ON）=43mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 4.5A
最大R DS（ON）=68mΩ，在V GS = 2.5V，I D = 3.8A
低柵極電荷（8nC典型值）。
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）。
SuperSOT™-6包：占地面積小（72％比標(biāo)準(zhǔn)小，因此° C8）低調(diào)（1mm厚）。
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
使用綠色包裝材料的制造。
無(wú)鹵素

應(yīng)用/框圖（S）
直流 - 直流轉(zhuǎn)換

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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