概述
這些N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導體專有的平面條形DMOS技術(shù)。

這一先進技術(shù)已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，提供出色的開關(guān)性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 這些器件非常適合高效率開關(guān)模式電源供應(yīng)器和有源功率因數(shù)校正。

特點
20A，500V，電阻R DS（ON）=0.23Ω在V GS = 10V
低柵極電荷（典型45.6nC）
低C RSS（典型值27pF）
快速切換
100％的雪崩測試
改進的dv / dt能力

應(yīng)用說明
AN - 6026：使用FAN7529功率因數(shù)校正電路的設(shè)計（346 K），2011年08月12日
AN - 6027：使用FAN7530功率因數(shù)校正電路的設(shè)計（416 K），2011年08月12日
AN - 6078SC：FAN480X的PFC + PWM（中文翻譯） （1879 K）2011年8月12日，
AN - 6982：功率因數(shù)校正轉(zhuǎn)換器與FAN6982設(shè)計（676 K），2011年08月12日
AN - 8027：FAN480X的PFC + PWM組合控制器應(yīng)用 （613 K）2011年8月12日，
AN - 9066的UniFET™連續(xù)電流模式功率因數(shù)校正的優(yōu)化開關(guān)（429 K）08月12日，2011年
AN - 9067：在LLC諧振轉(zhuǎn)換器的MOSFET失效模式分析（1485 K），2011年08月12日

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