概述
這些P溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導體先進的PowerTrench進程，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻和出色的開關性能保持低柵極電荷。 這些器件非常適合用于筆記本電腦的應用：負荷開關和電源管理，電池充電電路，和DC / DC轉換。

特點
-6一-30五，R DS（ON）= 0.032 W @ V GS = -10 V，R DS（ON）= 0.045 W @ V GS = -4.5 V
低柵極電荷（14.5nC典型值）。
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術。
高功率和電流處理能力。

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨立供應 商
本條信息深圳潤百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準不得復制。