概述
這雙N溝道邏輯電平增強型場效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專有的，高細胞密度，DMOS技術(shù)。 這非常高的密度過程，尤其是量身定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻。 本裝置已設(shè)計，尤其是作為替代雙極數(shù)字晶體管和小信號MOSFET的低電壓應(yīng)用。 由于不需要偏置電阻，這雙數(shù)字FET可以代替幾個不同的數(shù)字晶體管，不同的偏置電阻值。

特點
最大R DS（ON）=0.4Ω，在V GS = 4.5V，I D = 0.75A
最大R DS（ON）=0.5Ω，在V GS = 2.7V，I D = 0.67A
非常低的水平柵極驅(qū)動的要求，允許操作在3V 電路（VGS（TH）< 1.5V）
非常小的封裝外形采用SC70 - 6
符合RoHS標準

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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