概述
這種P溝道2.5V指定的MOSFET是一個堅固的門版本飛兆半導(dǎo)體先進的PowerTrench過程。 它已被優(yōu)化的柵極驅(qū)​​動電壓范圍廣（2.5V - 8V）電源管理應(yīng)用。

特點
一個-10，-20 V
R DS（ON）= 13 m寬的V GS = -4.5 V
R DS（ON）= 17 m寬的V GS = -2.5 V
低柵極電荷
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)
高功率和電流處理能力

應(yīng)用/框圖（S）
電源管理
負荷開關(guān)
電池保護

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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