概述

N溝道MOSFET采用飛兆半導體先進的PowerTrench進程，已特別針對降低通態(tài)電阻，同時保持出色的開關性能。

特點

的R DS（ON）=12mΩ（典型值）@ V GS = 10V，I D = 49A
開關速度快
低柵極電荷
高性能溝槽技術非常低R DS（ON）
高功率和電流處理能力
符合RoHS標準

應用/框圖（S）

直流到直流轉換器/同步整流

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨立供應 商
本條信息深圳潤百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準不得復制。