概述 


N溝道MOSFET采用飛兆半導體先進的PowerTrench ®過程。 在硅和雙CoolTM封裝技術的進步，已被合并，提供最低的RDS（ON），同時保持極低的結點到環(huán)境的熱阻出色的開關性能。 該器件具有一個有效率的單片肖特基體二極管的額外的好處。

特點

雙CoolTM頂部冷卻PQFN封裝
最大R DS（ON）= 2.0MΩ在V GS = 10V，I D = 27
最大R DS（ON）= 2.95mΩat的V GS = 4.5V，I D = 22
高性能技術非常低R DS（ON）
SyncFET肖特基體二極管
符合RoHS標準

應用/框圖（S）

同步整流為直流/直流轉換器
電信二次側整流
高端服務器/工作站Vcore電壓低側

應用筆記

AN - 9056： （408 K） ，使用飛兆半導體雙酷™MOSFET的8月19日，2011年

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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