概述

P溝道MOSFET采用飛兆半導體先進的功率溝槽的進程，已特別針對減少通態(tài)電阻。
此設(shè)備是非常適合的電源管理和負載開關(guān)應用常見于筆記本電腦和便攜式電池包。

特點

最大R DS（ON）=7.8mΩ，V GS = 10V，I D = 14.5A
最大R DS（ON）=12mΩ，V GS = 4.5V，I D = - 12A
擴展的V GS電池的應用范圍（- 25V）
6.5kV典型（注3）HBM ESD保護水平
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
高功率和電流處理能力
符合RoHS標準
合格的AEC Q101

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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