概述

這些N溝道邏輯電平MOSFET producedusing飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench進(jìn)程，已特別是tailoredto降到最低通態(tài)電阻，但maintainsuperior開關(guān)performance.These裝置，適合低電壓andbattery的低線powerloss和快速供電的應(yīng)用切換是需要。

特點(diǎn)

5.5A，30V
R DS（ON）= 38 m寬的V GS = 10V
R DS（ON）= 50 m寬的V GS = 4.5V
開關(guān)速度快
低柵極電荷
extremelylow的R DS（ON）的高性能溝槽技術(shù)
高功率和電流處理能力

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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