概述

N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的功率溝槽®過程吳丹已特別針對(duì)降低通態(tài)電阻，同時(shí)保持出色的開關(guān)性能。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）=2.2MΩ在V GS = 10V，I D = 25A
最大R DS（ON）=3.0mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 21.7A
先進(jìn)的封裝和硅結(jié)合低R DS（ON）
MSL1健壯的包裝設(shè)計(jì)
100％UIL的測(cè)試
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

直流 - 直流轉(zhuǎn)換

應(yīng)用筆記

AN - 9036：飛兆半導(dǎo)體Power56 （435 K）2011年8月05，使用準(zhǔn)則

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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