概述

這些N和P溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench過程中，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時保持出色的開關(guān)性能。

這些設(shè)備都被設(shè)計提供出色的功耗，在一個更​​大更昂貴的SO - 8和TSSOP - 8封裝是不切實際的應(yīng)用程序非常小的足跡。

特點

第一季度 3.0一個，20V
的R DS（ON）= 70 m寬的V GS = 4.5V
的R DS（ON）= 95 m寬的V GS = 2.5V
第二季度 -2.2一個，20V。
的R DS（ON）= 125 m寬的V GS = -4.5 V
的R DS（ON）= 190 m寬的V GS = -2.5 V
低柵極電荷
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)
SuperSOT -6包：體積�。ū萐O - 8小72％）;低調(diào)（1mm厚）。

應(yīng)用/框圖（S） 


DC / DC轉(zhuǎn)換器
負(fù)荷開關(guān)
液晶顯示器逆變器

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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