概述

此20V N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體的高電壓的PowerTrench工藝。 它已被優(yōu)化電源管理應(yīng)用。

特點

為0.9 A，20 V，
R DS（ON）= 220 m寬的V GS = 4.5V
R DS（ON）= 300 m寬的V GS = 2.5V
低柵極電荷
開關(guān)速度快
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)

應(yīng)用/框圖（S）

負荷開關(guān)
電池保護
電源管理

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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