概述

這N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導體先進的PowerTrench進程，已特別針對降低通態(tài)電阻，同時保持出色的開關性能。

這些器件非常適用于低壓和電池供電應用的低線的功率損耗和快速開關所需。

特點

13 30 V
R DS（ON）= 8 m寬的V GS = 10V
R DS（ON）= 10 m寬的V GS = 4.5V
開關速度快
低柵極電荷
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術
高功率和電流處理能力

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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