概述
這些雙N和P溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專有的，高細(xì)胞密度，DMOS技術(shù)。 這非常高的密度過程，尤其是量身定制，以盡量減少通態(tài)電阻，并提供出色的開關(guān)性能。 這些器件特別適用于如筆記本電腦的電源管理和其它電池供電的電路，快速開關(guān)，線路功率損耗低，抗瞬態(tài)需要的低電壓應(yīng)用。

特點(diǎn)
3.9 N溝道一個(gè)30V.R RDS（ON）= 0.065 W @ V GS = 10V，R DS（ON）= 0.095 W @ V GS = 4.5V。
P溝道-3.5一個(gè)，30V.R RDS（ON）= 0.085 W @ V GS = 10V，R DS（ON）= 0.190 W @ V GS = 4.5V。
非常低R DS（ON），高密度的單元設(shè)計(jì)。
一種廣泛使用的表面貼裝封裝的高功率和電流處理能力。
雙（N和P溝道）的表面貼裝封裝的MOSFET。

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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