概述
這些雙N＆P通道邏輯水平的提高模場有效的晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專有的，高細(xì)胞密度，DMOS技術(shù)。 這非常高的密度過程，尤其是量身定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻。 該設(shè)備是一個(gè)改善，特別是對(duì)于作為負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中的數(shù)字雙極晶體管的替代低電壓​​應(yīng)用設(shè)計(jì)。 由于偏置電阻是不是必需的，這雙數(shù)字FET可以代替幾個(gè)不同偏置電阻的數(shù)字晶體管。

特點(diǎn)
N - CH 25V，0.22，RDS（ON）= 5個(gè)W @ VGS = 2.7 V 。
P - CH 25V，-0.12，RDS（ON）= 13 W @ VGS = -2.7 V
非常低的水平柵極驅(qū)動(dòng)的要求，允許在3伏電路的直接操作。 VGS（TH）<1.5 V。
門源齊納二極管的ESD堅(jiān)固性。 > 6kV的人體模型。
更換NPN及PNP數(shù)字晶體管。

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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