概述
這N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench過(guò)程中，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時(shí)保持出色的開(kāi)關(guān)性能。
這些器件非常適用于低壓和電池供電應(yīng)用的低線的功率損耗和快速開(kāi)關(guān)所需。

特點(diǎn)
2 A，30 A訴的R DS（ON）= 0.12 W @ V GS = 10 V 。
的R DS（ON）= 0.16 W @ V GS = 4.5 V 。
低柵極電荷（2.1nC的典型）。
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)。
緊湊型的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)采用SC70 - 6表面貼裝封裝。

應(yīng)用/框圖（S）
DC / DC轉(zhuǎn)換器
負(fù)荷開(kāi)關(guān)
電源管理

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤(rùn)百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨(dú)立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤(rùn)百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準(zhǔn)不得復(fù)制。