概述

這單N溝道MOSFET的設(shè)計(jì)采用了飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的功率溝槽過程優(yōu)化的 R DS（ON），@ V GS = 2.5V 。

特點(diǎn)

600毫安，20 VR的RDS（ON）= 300MΩ@ V GS = 4.5V
600毫安，20 VR的RDS（ON）= 500MΩ@ V GS = 2.5V
ESD保護(hù)二極管（注3）
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

鋰離子電池

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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