概述

這些N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的職權(quán)范圍都采用飛兆半導(dǎo)體專有的平面條形DMOS技術(shù)。
這一先進(jìn)技術(shù)已特別針對(duì)小邁茲通態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)perfor mance，并承受高能量脈沖在雪崩和通訊模式。 這些器件非常適合高有效開(kāi)關(guān)模式電源供應(yīng)器和有源功率因數(shù)校正。

特點(diǎn)

的R DS（ON）=2.1Ω（典型值）@ V GS = 10V，I D = 1.5A
低柵極電荷（典型值6.2nC）
低C RSS（典型值2.5pF的）
快速切換
100％的雪崩測(cè)試
改進(jìn)的dv / dt能力
公共服務(wù)電子化“改進(jìn)能力
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用筆記

AN - 9725：健壯的身體，最后的功率MOSFET，諧振轉(zhuǎn)換器的UniFET™II二極管特性（850 K）8月19日， 2011年

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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