概述

使用Fairchil安森美半導體已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻和保持出色的開關(guān)性能先進的PowerTrench工藝生產(chǎn)的N溝道MOSFET。

特點

典型R DS（ON）=38mΩ，在V GS = 10V，I D = 50A
典型Q G（TOT）= 78nC在V GS = 10V
開關(guān)速度快
低柵極電荷
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
高功率和電流處理能力
合格的AEC Q101
符合RoHS標準

應用/框圖（S）

PDP的應用
混合動力電動汽車直流/直流轉(zhuǎn)換器

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨立供應 商
本條信息深圳潤百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準不得復制。