概述

這些N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專有的，平面的，DMOS技術(shù)。
這種先進(jìn)的技術(shù)已被特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，提供出色的開關(guān)性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 這些器件非常適合于高速開關(guān)DC / DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源的效率。

特點(diǎn)

32A，200V，電阻R DS（ON）= 0.082 W @ VGS = 10V
低柵極電荷（典型值82.5 NC）
低CRSS（典型值185 pF的）
快速開關(guān)
100％的雪崩測試
改進(jìn)的dv / dt能力

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨(dú)立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準(zhǔn)不得復(fù)制。