概述

這些N溝道功率MOSFET的制造，使用創(chuàng)新的UltraFET ®過(guò)程。 這種先進(jìn)的工藝技術(shù)達(dá)到每硅片面積盡可能最低的導(dǎo)通電阻，造成出色的表現(xiàn)。 此設(shè)備是能夠承受高能量，在雪崩模式和二極管具有非常低的反向恢復(fù)時(shí)間和儲(chǔ)存的電荷。 它是專(zhuān)為電源效率是非常重要的應(yīng)用場(chǎng)合，如開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器，電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，繼電器驅(qū)動(dòng)器，低電壓總線開(kāi)關(guān)，在便攜式和電池供電產(chǎn)品的電源管理，使用。

特點(diǎn)

56A，100V
仿真模型
溫度補(bǔ)償?shù)腜SPICE ®和馬刀™電氣模型
SPICE和馬刀的熱阻抗模型
峰值電流和脈沖寬度曲線
統(tǒng)計(jì)研究所的評(píng)價(jià)曲線

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢(xún)價(jià)
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