概述

這些P溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專有的平面條形DMOS技術(shù)。
尤其是針對這種先進(jìn)的技術(shù)，以盡量減少通態(tài)電阻，提供出色的開關(guān)性能，并承受高能量脈沖在雪崩和通訊模式。 這些器件非常適合于高開關(guān)DC / DC轉(zhuǎn)換器的效率。

特點(diǎn)

- 3.1A，250V，電阻R DS（ON）= 2.1 W @ V GS = - 10V
低柵極電荷（典型10nC）
低CRSS（典型10.3pF）
快速開關(guān)
100％的雪崩測試

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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