概述

這些N溝道增強型功率場效應晶體管都采用飛兆半導體專有的平面條形DMOS技術。
這一先進技術已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，提供出色的開關性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 這些器件非常適合高效率開關模式電源供應器和有源功率因數(shù)校正。

應用筆記

AN - 9725：健壯的身體，最后的功率MOSFET，諧振轉(zhuǎn)換器的UniFET™II二極管特性（850 K）8月12日， 2011年

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