概述

此設備是專為雙開關要求在蜂窩手機和其他超便攜應用的單一封裝解決方案。 它具有兩個獨立的N溝道MOSFET與低通態(tài)電阻最低的導通損耗。
這些MicroFET 1.6x1.6薄的封裝提供了卓越的熱性能和它的物理尺寸，開關和線性模式的應用程序非常適合。

特點

最大R DS（ON）= 66MΩ在V GS = 4.5V，I D = 3.4
最大R DS（ON）= 86MΩ在V GS = 2.5V，I D = 2.9一個
最大R DS（ON）= 113MΩ，在V GS = 1.8V，I D = 2.5
最大R DS（ON）= 160MΩ，在V GS = 1.5 V，I D = 2.1一個
低調(diào)：在新封裝的MicroFET 1.6x1.6薄0.55毫米最大
無鹵素化合物和氧化銻
HBM ESD保護水平> 1600V（注3）
符合RoHS標準

應用/框圖（S）

基帶開關
負荷開關

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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