概述
P溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench進(jìn)程，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻和出色的開關(guān)性能保持低柵極電荷。 這些器件非常適合于便攜式電子產(chǎn)品的應(yīng)用。

特點
-1.2一個，-20訴R DS（ON）= 0.18 W @ V GS = -4.5 VR的DS（ON）= 0.25 W @ V GS = -2.5 V 。
低柵極電荷（典型值3.3 NC）。
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)。
緊湊型的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)采用SC70 - 6表面貼裝封裝。

應(yīng)用/框圖（S）
負(fù)荷開關(guān)
電池保護(hù)
電源管理

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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