概述
這些P溝道增強型功率場效應晶體管都采用飛兆半導體專有的平面條形DMOS技術。 這種先進的技術已被特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，提供出色的開關性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 這些器件非常適合于高開關DC / DC轉換器的效率。

特點
- 5.2A，200V，電阻R DS（ON）= 0.69 W @ V GS = 10 V
低柵極電荷（典型的19 NC）
低CRSS（典型值25 pF的）
快速開關
100％的雪崩測試
改進的dv / dt能力

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