概述

已制作此N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體專有的PowerTrench技術(shù)，可提供低Rdson和優(yōu)化BVDSS能力中的應(yīng)用提供卓越的性能優(yōu)勢(shì)。

特點(diǎn)

59，35V
最大R DS（ON）= 10MΩ@ V GS = 10V
最大R DS（ON）= 13MΩ@ V GS = 4.5V
快速切換
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

逆變器
電源供應(yīng)器

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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