概述

這N溝道邏輯電平MOSFET專門設(shè)計(jì)，以改善整體效率直流/直流轉(zhuǎn)換器，PWM控制器采用同步或常規(guī)的開關(guān)。
這些MOSFET具有更快的開關(guān)和低于其他可比的R DS（ON）規(guī)格的MOSFET的柵極電荷。
結(jié)果是MOSFET驅(qū)動器（即使在非常高的頻率），并具有較高的綜合效率的直流/直流電源供應(yīng)器設(shè)計(jì)，是很簡單的安全。
它已被優(yōu)化的低柵電荷，低R DS（ON）和快速開關(guān)速度。

特點(diǎn)

60 30 V
R DS（ON）= 9 m寬的V GS = 10V
R DS（ON）= 12 m寬的V GS = 4.5V
在高溫下的臨界直流電氣參數(shù)
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)
175℃的最高結(jié)溫評級

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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