概述

這些N溝道增強型功率場效應晶體管的職權范圍都采用飛兆半導體專有的平面條形DMOS技術。

這一先進技術已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，提供出色的開關性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 這些器件非常適合高效率開關模式電源供應器和有源功率因數(shù)校正。

特點

的R DS（ON）=0.43Ω（典型值）@ V GS = 10V，I D / SUB> = 3.1A
低柵極電荷（Typ.12nC）
低C RSS（典型值8PF）
快速切換
100％的雪崩測試
改進的dv / dt能力
符合RoHS標準

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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