概述

N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench ®過(guò)程中，已特別針對(duì)減少通態(tài)電阻和開關(guān)損耗。 GS齊納已被添加到提高ESD電壓水平。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）= 24MΩ在V GS = 10V，I D = 8.3
最大R DS（ON）= 35MΩ在V GS = 4.5V，I D = 6.8
HBM ESD保護(hù)水平> 6千伏（典型值）（注4）
競(jìng)爭(zhēng)溝槽技術(shù)相比，非常低的Qg和Qgd
開關(guān)速度快
100％UIL的測(cè)試
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

DC - DC轉(zhuǎn)換
逆變器
同步整流

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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