概述

這單N溝道MOSFET的設(shè)計(jì)采用了飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的功率溝槽®過程特殊的MicroFET引線框架，以優(yōu)化的R DS（ON）@ V GS = 1.5 V的。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）= 14.5MΩ在V GS = 4.5V，I D = 9.4
最大R DS（ON）= 18.2MΩ在V GS = 2.5V，I D = 8.3
最大R DS（ON）= 23.3在V GS = 1.8V，I D = 7.3MΩ
最大R DS（ON）= 32.3MΩ在V GS = 1.5V，I D = 6.2一個(gè)
在新封裝的MicroFET的2x2毫米的薄型0.8毫米的最大
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

鋰離子電池
DC - DC降壓轉(zhuǎn)換器

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來電詢價(jià)
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