概述

N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench ®過程。 在硅和雙酷™封裝技術(shù)的進(jìn)步，已被合并， 提供最低的R DS（ON），同時(shí)保持極低的結(jié)點(diǎn)到環(huán)境的熱阻出色的開關(guān)性能。 該器件具有一個(gè)有效率的單片肖特基體二極管的額外的好處。

特點(diǎn) 

雙酷™頂部冷卻PQFN封裝
最大R DS（ON）= 1.25MΩ在V GS = 10V，I D = 32
最大R DS（ON）= 1.75MΩ在V GS = 4.5V，I D = 28
高性能技術(shù)非常低R DS（ON）
SyncFET肖特基體二極管
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

同步整流為直流/直流轉(zhuǎn)換器
電信二次側(cè)整流
高端服務(wù)器/工作站Vcore電壓低側(cè)

應(yīng)用筆記

AN - 9056：使用飛兆半導(dǎo)體雙酷™MOSFET的 （408 K）8月05， 2011

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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