概述

該器件包括兩個(gè)專門在雙PQFN封裝的N溝道MOSFET。 開關(guān)節(jié)點(diǎn)已在內(nèi)部連接，方便放置和同步降壓轉(zhuǎn)換器的路由。 控制MOSFET（Q1）和同步SyncFET（第二季）已設(shè)計(jì)提供最佳的電源效率。

特點(diǎn)

問題1：N溝道

最大R DS（ON）= 6.6MΩ在V GS = 10V，I D = 16
最大R DS（ON）= 9.4MΩ在V GS = 4.5V，I D = 13一個(gè)

問題2：N溝道

最大R DS（ON）= 3.5MΩ在V GS = 10V，I D = 18 A
最大R DS（ON）= 5.2MΩ在V GS = 4.5V，I D = 15
低電感封裝縮短了上升/下降時(shí)間，更低的開關(guān)損耗
MOSFET的集成，使最佳的布局，降低線路電感和減少開關(guān)節(jié)點(diǎn)的振鈴
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

計(jì)算
通訊
通用負(fù)載點(diǎn)
筆記本電腦的VCORE

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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