概述

這四MOSFET解決方案提供了10倍，功耗超過(guò)二極管橋的改善。

特點(diǎn)

Q1/Q4：N溝道

最大R DS（ON）= 110MΩ，在V GS = 10V，I D = 3
最大R DS（ON）= 175MΩ，在V GS = 6伏，I D = 2.4

第二和第三季度：N溝道

最大R DS（ON）= 190MΩ，在V GS = 10 V，I D = -2.3一個(gè)
最大R DS（ON）= 235MΩ，在V GS = -4.5 V，I D = -2.1一個(gè)
在PD解決方案大幅效率受益
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

有源電橋

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢(xún)價(jià)
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