概述

這N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn)功率溝槽®過程中已特別定制，以盡量減少對國家resisitance的，但保持出色的開關(guān)性能。 GS齊納已被添加到提高ESD電壓水平。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）= 105mΩat的V GS = 10V，I D = 2.7
最大R DS（ON）= 160mΩat的V GS = 4.5V，I D = 2.1一個
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
一種廣泛使用的表面貼裝封裝的高功率和電流處理能力
CDM的ESD保護(hù)水平> 2KV典型（注4）
100％UIL的測試
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

DC - DC轉(zhuǎn)換

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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