概述

這些N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench ®過(guò)程中已特別定制，以盡量減少通態(tài)電阻和保持出色的開(kāi)關(guān)性能。

這些器件非常適用于低壓和電池供電應(yīng)用的低功率損耗和快速開(kāi)關(guān)需要。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）= 23MΩ在V GS = 10V，I D = 7.0
最大R DS（ON）= 33MΩ在V GS = 4.5V，I D = 5.5 A
開(kāi)關(guān)速度快
低柵極電荷
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
高功率和電流處理能力
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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