概述

FDMS6681Z已被設(shè)計(jì)在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中，以盡量減少損失。 在硅和封裝技術(shù)的進(jìn)步，已被合并，以提供最低的 R DS（on）和ESD保護(hù)。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）= 3.2MΩ在V GS = 10 V，I D = -21.1一個(gè)
最大R DS（ON）= 5.0MΩ在V GS = -4.5 V，I D = -15.7一個(gè)
低R DS（on）和高效率的先進(jìn)的封裝和硅結(jié)合
HBM ESD 8kV的典型（注3）保護(hù)級(jí)別
MSL1健壯的包裝設(shè)計(jì)
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

負(fù)載開關(guān)在筆記本電腦和服務(wù)器
筆記本電池電源管理

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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