概述

這些N溝道增強型功率場效應晶體管都采用飛兆半導體專有的平面條形DMOS技術。
這種先進的技術已被特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，提供出色的開關性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 這些器件非常適合高效率開關DC / DC轉換器，開關電源，電機控制。

特點

3.8A，200V，電阻R DS（ON）= 1.2 W @ V GS = 10V
低柵極電荷（典型4.8nC）
低CRSS（典型值6.0pF）
快速開關
100％的雪崩測試
改進的dv / dt能力
低電平柵極驅動的要求，允許直接從邏輯驅動器的操作

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