概述

這些N溝道增強型功率場效應晶體管都采用飛兆半導體專有的平面條形DMOS技術。
這種先進的技術已被特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，提供出色的開關性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 這些器件非常適合高效率開關DC / DC轉(zhuǎn)換器，開關電源，電機控制。

特點 


5.5A，200V，電阻R DS（ON）= 0.75 W @ V GS = 10V
低柵極電荷（典型6.8nC）
低CRSS（典型值為8.5pF）
快速開關
100％的雪崩測試
改進的dv / dt能力
低電平柵極驅(qū)動的要求，允許直接從邏輯驅(qū)動器的操作

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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