概述

此N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體專有的PowerTrench技術(shù)，可提供低R DS（on）和優(yōu)化的BV DSS提供優(yōu)越的性能優(yōu)勢(shì)，在應(yīng)用程序的能力已經(jīng)產(chǎn)生。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）=8.7mΩ，在V GS = 10V，I D = 14A條
最大R DS（ON）=11.2mΩ在V GS = 4.5V，I D = 11A
快速切換
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

逆變器
電源供應(yīng)器

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來電詢價(jià)
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