概述

N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench ®過程中，已特別針對(duì)減少通態(tài)電阻。 此設(shè)備是非常適合的電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用常見于筆記本電腦和便攜式電池包。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）= 2.2MΩ在V GS = 10V，I D = 20
最大R DS（ON）= 3.3MΩ在V GS = 4.5V，I D = 18 A
高性能技術(shù)非常低R DS（ON）
終止是無鉛和符合RoHS

應(yīng)用/框圖（S）

直流 - 直流降壓轉(zhuǎn)換器
負(fù)載點(diǎn)
高效率的負(fù)荷開關(guān)和低側(cè)開關(guān)

應(yīng)用筆記

AN - 9056： （408 K） ，使用飛兆半導(dǎo)體雙酷™MOSFET的8月19日，2011年

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來電詢價(jià)
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