概述

這些P溝道2.5V指定的MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench進(jìn)程，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻和出色的開關(guān)性能保持低柵極電荷。
這些器件非常適合于便攜式電子產(chǎn)品的應(yīng)用：負(fù)荷開關(guān)和電源管理，電池充電和保護(hù)電路。

特點(diǎn)

-6甲，-20訴R DS（ON）= 0.030 W @ V GS = -4.5 V，R DS（ON）= 0.040 W @ V GS = -2.5 V 。
低柵極電荷（23nC典型）。
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)。
高功率和電流處理能力。

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來電詢價(jià)
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