概述

這些P溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導體先進的PowerTrench過程中，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時保持出色的開關(guān)性能低柵極電荷。
這些設(shè)備都被設(shè)計提供出色的功耗，在一個更​​大更昂貴的SO - 8和TSSOP - 8封裝是不切實際的應(yīng)用程序非常小的足跡。

特點

-1.8一個-30訴R DS（ON）= 0.170 W @ V GS = -10 V，R DS（ON）= 0.280 W @ V GS = -4.5 V
低柵極電荷（2.3nC的典​​型）。
開關(guān)速度快。
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)。
SuperSOT™-6包：體積�。ū葮藴蔛O - 8小72％）;低調(diào)（1mm厚）。

應(yīng)用/框圖（S）

負荷開關(guān)
電池保護
電源管理

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準不得復制。