概述

這些N溝道100V指定的MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench過程中，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時(shí)保持出色的開關(guān)性能低柵極電荷。

這些設(shè)備都被設(shè)計(jì)提供出色的功耗，在一個(gè)更​​大更昂貴的SO - 8和TSSOP - 8封裝是不切實(shí)際的應(yīng)用程序非常小的足跡。

特點(diǎn)

1.0 A，100 V
的R DS（ON）= 500 m寬的V GS = 10V
的R DS（ON）= 550 m寬的V GS = 6伏
低柵極電荷（3.7nC的典型）
開關(guān)速度快
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)
SuperSOT™-6包：體積小72％（小于標(biāo)準(zhǔn)SO - 8）;低調(diào)（1mm厚）。

應(yīng)用/框圖（S）

負(fù)荷開關(guān)
電池保護(hù)
電源管理

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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