概述

這些N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench進(jìn)程，已特別針對降低通態(tài)電阻，同時保持出色的開關(guān)性能。 這些器件非常適用于低壓和電池供電應(yīng)用的低線的功率損耗和快速開關(guān)所需。

特點(diǎn)

3.5 A，30五，R DS（ON）= 0.090 W @ V GS = 10V，R DS（ON）= 0.140 W @ V GS = 4.5 V 。
開關(guān)速度快。
低柵極電荷（2.1nC的典型）。
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)。
高功率和電流處理能力。

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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