概述

這P溝道MOSFET飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的功率溝槽過程是一個堅固的門版本。 它已被優(yōu)化的電源管理要求的柵極驅(qū)動器的額定電壓（4.5V - 20V）的廣泛應(yīng)用。

特點

最大R DS（ON）= 100MΩ@ V GS = 10 V，I D = 5.7A
最大R DS（ON）= 135MΩ@ V GS = -4.5 V，I D = 4.4A
低柵極電荷
開關(guān)速度快
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
高功率和電流處理能力
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

電源管理
負(fù)荷開關(guān)
電池保護(hù)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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